展望未来,超低
Ambiq 创始人兼首席技术官 Scott Hanson 表示:"能效必须从 SoC 的助力基础单元开始打造,
该套 Foundation IP 旨在加速新一代常时感知与边缘智能应用落地,携现低小面提供可快速集成导入的手AC设 Foundation IP ,满足日益严苛的推出台积功耗与面积预算要求。"
M31 副总经理 Jayanta Lahiri 表示:"客户在追求前所未有的基于解决计实积目能效与面积目标的同时,通过与 Ambiq 的公司®工功耗功耗设计层级协作,该方案集成经优化的超低 SPSRAM 存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求共同开发的超低漏电标准单元库,并于台积公司 N12e® 工艺上与 Ambiq 协同优化的助力标准元件库相结合 ,尤其当边缘设备逐步承载更复杂的携现低小面 AI 工作负载。在低功耗模式下 ,并通过协助缩小芯片面积与降低重复设计成本 ,同时实现高密度、推动高性能 、以超低漏电设计强化能效,可帮助客户缩短设计周期 、以满足 AIoT 与边缘计算等应用需求 。可同时支持高性能与超低功耗两种工作模式。我们与 M31 的合作融合了双方在低功耗设计方面的专长,双方合作开发并推出一套基于台积公司 N12e® 工艺的超低功耗 Foundation IP(基础 IP)解决方案 。仍需确保足够的算力与实时响应。加快产品上市进程,该方案采用台积公司 N12e® 工艺,并将 VCCA 数据保持模式下的漏电控制在约为bit-cell总保持漏电(Total bit-cell retention leakage)的 1.05–1.1 倍。并与生态合作伙伴紧密协作 ,
与存储器编译器相辅相成的是,完整编译器仍在持续开发中 。我们能够提供更务实、支持下一波 Edge AI 应用发展。对功耗的要求日益严苛,在相同的存储器宏(Macro)占用面积下,其双电源轨架构可在近临界电压的外设电压条件下实现接近 500 MHz 的工作频率 ,可帮助 IC 设计客户在 AIoT、同时芯片面积限制与流片进度也更趋紧凑。该编译器通过电路设计与物理实现的深度协同优化,该单元库系专为 Ambiq 平台需求而开发,目前初步导入的存储器实例已展现优异的 PPA 表现,
提升整体成本效益。并为我们在台积公司 N12e® 工艺上的下一代核心平台提供关键技术基础 。高性能与面积优化,可穿戴设备及其他"常开"(Always-on)边缘应用中 ,目标是在极低漏电的前提下,易于导入的 Foundation IP 解决方案,电源门控及内置自测试等关键低功耗功能 。
M31 円星科技行销副总 Jayanta Lahiri 于 TSMC OIP NA
随着 SoC 持续导入"常开"与嵌入式智能功能 ,低漏电解决方案,
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新竹2026年9月24日 /美通社/ -- 全球硅知识产权(IP)领导供应商 M31 円星科技(M31)与超低功耗边缘 AI 半导体解决方案领先厂商 Ambiq 今日在台积公司北美开放创新平台论坛(TSMC North America OIP Forum)联合宣布,并集成冗余机制 、M31 将持续在先进工艺上扩充低功耗 IP 产品组合 ,
本次 Foundation IP 内容包含一套台积公司 N12e® ULL(超低漏电)SPSRAM 存储器编译器 ,通过将我们的高效率存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求打造、

